关于大家关心的3nm第一代计划明年下半年投产
在昨天的业绩会议上公布第三季度财务报告后,TSMC还透露了先进制造工艺的最新进展。
关于大家最关心的3nm,第一代计划明年下半年投产同时还有3nm的增强版,计划2023年下半年投产显然,这个节奏很可能会对应最大客户苹果的A16和A17处理器
E说实话,后缀还是比较新鲜的毕竟7nm增强版和5nm增强版都用P作为后缀,我不知道E代表更好还是更差,但我仔细猜测是后者
根据之前公开的信息,第一代在3纳米的功耗将比5纳米低25—30%,性能将提高10—15%,晶体管密度将提高70%在垂直比较中,从小于5纳米到7纳米的变化坦率地说是令人失望的
此外,对于一些有特定需求的客户,TSMC还有4nm在准备中,可以算是5nm的改进版,晶体管密度提升6%,制造工艺简化,换句话说,良率会更高。
在微观层面,TSMC的3纳米仍然是FinFET晶体管结构,这有望成为FinFET的谢幕英特尔,三星和TSMC都将过渡到GAA晶体管,其中英特尔称之为RibbonFET,拥有独家的PowerVia背电路技术
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